Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН — один из институтов Новосибирского научного центра Сибирского Отделения Академии Наук. Расположен в Новосибирске. Основан в 1964 году.

Общие сведения

Основными направлениями научной деятельности института являются элементная база микроэлектроники, наноэлектроники, квантовых компьютеров, в том числе физико-химические основы технологий микроэлектро¬ники, наноэлектроники, оптоэлектроники, акустоэлектроники, микросенсорики, актуальные направления физики конденсированных сред, в том числе физика полупроводников и диэлектриков, физика низкоразмерных систем, актуальные проблемы оптики, лазерной физики, включая квантовую электронику. ^[3]

История

Институт был основан в 1964 году на базе объединения Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники СО АН СССР и Института радиофизики и электроники СО АН СССР (постановление Президиума АН СССР № 49 от 24 апреля 1964 года). В 2003 году к Институту физики полупроводников СО РАН был присоединён в качестве филиала Институт сенсорной микроэлектроники СО РАН (постановление Президиума РАН от 1.07.03 г. № 224). В 2005 году к ИФП СО РАН был присоединен присоединён в качестве филиала Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники (постановление Президиума РАН от 29.11.05 г. № 274). В 2006 году Институту присвоено имя академика А. В. Ржанова (постановление Президиума РАН от 26.12.06 г. № 400).^[4]

Директорами института были: ^[5]

• 1964—1990 — академик Ржанов, Анатолий Васильевич
• 1990—1998 — чл.-корр. РАН Свиташев, Константин Константинович.
• с 1998 — академик РАН Асеев, Александр Леонидович.

Структура

В состав института входят следующие научные подразделения (более 20 лабораторий, два филиала): ^[6][7]

• Отдел роста и структуры полупроводниковых материалов
  • Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений А3В5
  • Лаборатория эллипсометрии полупроводниковых материалов и структур,
• Отдел физики и технологии полупроводников пониженной размерности, микро- и наноструктур, руководитель отдела академик А. Л. Асеев
  • Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии, зав.лаб., член-корр. РАН, д.ф.-м.н. А. В. Латышев
  • Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников А3В5
• Отдел тонкопленочных структур для микро- и фотоэлектроники, руководитель отдела член-корр. РАН, профессор, И. Г. Неизвестный
  • Лаборатория физики и технологии гетероструктур
  • Группа моделирования электронных и технологических процессов микроэлектроники
• Отдел физики и техники полупроводниковых структур
  • Лаборатория кинетических явлений в полупроводниках
  • Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5
• Отдел инфракрасной оптоэлектроники на основе КРТ
  • Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков соединений А2В6,
  • Лаборатория физико-технологических основ создания приборов на основе полупроводников А2В6
• Научные лаборатории
  • Лаборатория теоретической физики, зав.лаб., член-корр. РАН, профессор А. В. Чаплик
  • Лаборатория разработки принципов построения и архитектуры вычислительных систем для обработки информационных массивов, зав.лаб., член-корр. РАН, профессор, В. Г. Хорошевский
  • Лаборатория физической химии поверхности полупроводников и систем полупроводник-диэлектрик
  • Лаборатория оптических материалов и структур
  • Лаборатория физики и технологии трехмерных наноструктур
  • Лаборатория неравновестных процессов в полупроводниках
  • Лаборатория физических основ материаловедения кремния
  • Лаборатория физических основ интегральной микроэлектроники
  • Лаборатория технологии кремниевой микроэлектроники
  • Лаборатория радиационной стойкости полупроводников и полупроводниковых приборов
  • Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем, зав.лаб., член-корр. РАН, д.ф.-м.н., профессор, А. В. Двуреченский
  • Лаборатория лазерной спектроскопии и лазерных технологий
  • Лаборатория нелинейных резонансных процессов и лазерной диагностики
  • Лаборатория мощных газовых лазеров
  • Научно-технологический отдел монокристаллического кремния и кремниевых структур
• Омский филиал ИФП
  • Лаборатория физики полупроводниковых структур
  • Лаборатория физики полупроводниковых соединений
  • Лаборатория экологического мониторинга
• Новосибирский филиал ИФП СО РАН «КТИ ПМ»
  • Научно-исследовательский отдел фотохимических технологий
  • Научно-исследовательский отдел тепловидение и телевидения
  • Тематический отдел конструирования оптико-электронных приборов
  • Тематический отдел электронных систем
  • Тематический отдел моделирования оптико-электронных приборов
  • Тематический отдел прикладной оптико-электронной техники и технологий
  • Тематический отдел специального технологического оборудования

Дирекция

• Директор — Асеев, Александр Леонидович, академик РАН, профессор, доктор физико-математических наук^[1]
• Зам. директора по научной работе:
  • Двуреченский, Анатолий Васильевич, член-корреспондент РАН, профессор, доктор физико-математических наук
  • Латышев, Александр Васильевич, член-корреспондент РАН, профессор, доктор физико-математических наук
  • Пчеляков, Олег Петрович, профессор, доктор физико-математических наук

См. также

• Институт цитологии и генетики СО РАН

Примечания